2016年，要限OlgaMalinkiewicz荣获ForContributiontoPolandandPolishPeople奖。

如何同时提高材料的强塑性，制孩玩一直是非常具有挑战性的课题。随着孪晶厚度的减少，手机后一种机制的贡献增加，并最终主导应变硬化。

因此，要限纳米孪晶结构在能量上比具有相同化学成分的纳米晶结构更稳定。制孩玩位错与晶界相关联数组和关联的步骤与先前存在沿着TBs的部分位错可能是潜在的位错源,影响塑性变形的起始和提供位错-TB交互所需的位错,导致加工硬化。对导电性的测量表明纳米孪晶Cu的导电性几乎与退火Cu相等，手机如图3。

当材料中存在大量缺陷，要限例如晶界，位错或空位时，强度会提高，但是由于电子被缺陷捕获或分散，从而导电性变差。制孩玩图3 A.纳米孪晶Cu与粗晶Cu试样的应力-应变曲线。

增加TB密度有助于存储这些位错，手机从而适应相当大的应变硬化。

在金属铜中引入高密度纳米孪晶界面，要限可使纯铜的强度提高一个数量级，要限同时保持良好的拉伸塑性和很高的电导率（与高纯无氧铜相当），获得了超高强度高导电性纳米孪晶铜。利用液滴可任意形变的特点实现对富勒烯空心结构形貌的精确控制，制孩玩得到如纳米碗、瓶、及葫芦等空心结构。

由于用手或工具直接操纵纳米物体是不现实的，手机因此必须依靠其固有特性来远程控制生长或组装过程。相关工作以南洋理工大学博士韩飞为第一作者，要限陈虹宇教授为唯一通讯作者，相继发表于领域内顶级期刊Nat.Commun.(2019,10, 1548) 及J.Am.Chem.Soc.。

虽然连接中空纳米结构涉及独特的挑战，制孩玩但它也带来了有趣的机会。CO2形二聚体，手机CH4形四聚体和近球形的多聚体是纳米组装中良好控制的空间效应的有力证明。